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IGBT功率器件工作中存在的问题及解决方法

时间：2020-06-28 13:38:01 下载该word文档

作者：潘星;刘会金

作者机构：武汉大学,电气工程学院,湖北,武汉,430072;武汉大学,电气工程学院,湖北,武汉,430072

来源：电力自动化设备

ISSN：1006-6047

年：2004

卷：024

期：009

页码：9-14

页数：6

中图分类：TN386.2

正文语种：chi

关键词：IGBT;di/dt;软开关技术;吸收电路

摘要：绝缘栅双极型晶体管IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)因其开关速度快、工作频率高、控制方便等优点得到广泛应用,但随着电力电子技术的高频、大功率化发展,开关工作时会造成较高损耗和严重的电磁干扰,甚至元件本身也会因过压、过流问题造成损坏.从IGBT的内部结构特点出发,讨论了IGBT工作中上述问题存在的原因,整理了目前国内外常用的一些处理措施,包括软开关技术、吸收电路技术以及研制新的开关元件等.软开关通过控制电压、电流状态,使其在开关过程中保持不变,抑制di/dt,du/dt;吸收电路是吸收开关过程中di/dt,du/dt产生的多余能量,然后反馈至其他地方.而采用新的开关元件集成门极换流晶闸管IGCT(Integrated Gate Commutated Thyristor),从开关本身出发解决问题是个有潜力的方案.

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