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时间:2023-11-21 12:45:17    下载该word文档
11次课2学时上次课复习:变压器的变压、变流和变阻抗作用本次课题(或教材章节题目):二极管和稳压管教学要求:了解二极管和稳压管的结构、工作原理;掌握特性曲线、主要参数和应用;理解PN结的单向导电性。点:掌握主要特性、主要参数的含义,掌握各元件的应用。点:PN结的单向导电性。教学手段及教具:多媒体讲授内容及时间分配:1.1半导体基础知识1、半导体及其主要特性1)热敏性:温度敏感元件(热敏电阻)2)光敏性:光敏元件3)掺杂性2、本征半导体(纯净)1)晶体结构2)本征半导体中的载流子3、掺杂半导体1N型半导体2P型半导体4PN结及单向导电性1PN结的形成2)单向导电性1.2半导体二极管1、结构与符号2、伏安特性1)正向特性2)反向特性3、主要参数4、应用1-11-21-4课后作业参考资料注:本页为每次课教案首页31
1.1半导体的导电特性1.半导体及其主要特性1)半导体:导电能力介于导体与绝缘体之间,如硅、锗、一些硫化物、氧化物2)特性:①热敏性②光敏性③掺杂性2.本征半导体(完全纯净、结构完整)1)晶体结构:共价键结构稳定时共价健中的价电子不能成为自由电子,受外界激发(光照、加热)①挣脱束缚:形成自由电子并在原共价键中留下空位(即空穴)②填补空位:自由电子与穴同时消失(即复合)2)本征半导体中的载流子:自由电子-空穴对3.掺杂半导体1N型半导体:在硅(锗)晶体内掺入少量的五价元素(磷、锑)①多子(主要导电的载粒子):自由电子②少子:空穴(热激发形成)2P型半导体:在硅(锗)晶体内掺入少量的三价元素(硼、铝)①多子:空穴②少子:自由电子(热激发形成)4.PN结及单向导电性1PN结的形成①扩散②漂移③动态平衡2)单向导电性PN结加正向电压(正偏置)高电位端P区,低电位端NEE方向相反,削弱内电场,空间电荷区变薄,多子的扩散加强,形成扩散电流(IE越大,I越大(PN结导通,呈低阻状态)PN结加反向电压(反偏置):高位端N区,低位端PEE方向相同,增强内电场,空间电荷区变宽,少子的漂移运动加强,形成漂移电流(I少子数量少且与温度有关,故I小且与温度有关而与E无关(PN结截止,呈高阻状态)1.2半导体二极管1.结构1)点接触:PN结面积小,极间电容小,小电流(高频检波、脉冲数字电路中的开头元件)2)面接触:PN结面积大,胡间电容大,电流大(整流)2.符号:阳(+阴(-3.伏安特性:I=fU1)正向特性①死区电压:硅管0.5V,锗管0.1V②工作电压(正向导通区)硅管0.7V锗管0.3V2)反向特性32

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