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非线性忆阻器
时间：2023-09-19 07:24:07 下载该word文档
（19）中华人民共和国国家知识产权局
（12）发明专利申请
（21）申请号CN201280071789.9（22）申请日2012.04.25
（71）申请人惠普发展公司,有限责任合伙企业
地址美国德克萨斯州
（10）申请公布号CN104254919A
（43）申请公布日2014.12.31
（72）发明人杨建华;民贤·马克斯·张;马修·D·皮克特;R·斯坦利·威廉姆斯（74）专利代理机构北京德琦知识产权代理有限公司
代理人康泉
（51）Int.CI
权利要求说明书说明书幅图
（54）发明名称
非线性忆阻器
（57）摘要
非线性忆阻器，包括底电极、顶电极和在
所述底电极和所述顶电极之间的绝缘体层。所述绝缘体层包括金属氧化物。所述非线性忆阻器进一步包括由所述底电极向所述顶电极延伸的在所述绝缘体层内的切换通道和在所述切换通道和所述顶电极之间的金属-绝缘体-过渡材料的纳米帽层。所述顶电极包括与所述金属-绝缘体-过渡材料中的金属相同的金属。
法律状态
法律状态信息
公开公开
实质审查的生效实质审查的生效
专利申请权、专利权的转移专利申请权、专利权的转移授权
法律状态
公开公开
实质审查的生效实质审查的生效
专利申请权、专利权的转移专利申请权、专利权的转移授权
法律状态公告日
2014-12-312014-12-312015-01-212015-01-212016-11-022016-11-022017-10-24
权利要求说明书
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说明书
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