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一类三苯二恶嗪酰亚胺结构的半导体材料及其制备方法

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（19）中华人民共和国国家知识产权局
（12）发明专利申请

（21）申请号CN201710760451.9（22）申请日2017.08.30（71）申请人大连理工大学

地址116024辽宁省大连市高新园区凌工路2号

（10）申请公布号CN107501295A
（43）申请公布日2017.12.22
（72）发明人肖义;王赫麟;陈令成
（74）专利代理机构大连星海专利事务所有限公司

代理人杨翠翠
（51）Int.CI
权利要求说明书说明书幅图
（54）发明名称

一类三苯二噁嗪酰亚胺结构的半导体材料及其制备方法
（57）摘要

一类三苯二噁嗪酰亚胺结构的半导体材料
及其制备方法，其属于有机合成技术领域。该材料为具有大共轭且空间扭曲的新型三苯二噁嗪酰亚胺衍生物。它采用在单溴或双溴三苯二噁嗪酰亚胺的6位和14位上引入较大共轭平面的芳香结构，分别与单硼酸芳香烃或单频哪醇硼酸酯芳香烃或单三丁基锡芳香烃，通过C‑C偶联的方法合成得到。新型三苯二噁嗪酰亚胺半导体材料在常用有机溶剂中具有优良的溶解度，在可见光区域
具有强吸收，较高的摩尔消光系数，还具有良好的氧化还原特性和电子传输性能，可以应用于有机光电领域。
法律状态
法律状态公告日
2017-12-222017-12-222017-12-222018-01-192018-01-192020-01-14
法律状态信息
公开公开公开
实质审查的生效实质审查的生效授权
法律状态
公开公开公开
实质审查的生效实质审查的生效授权

权利要求说明书
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说明书
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